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解读二极管浪涌电流测试电路

发布日期:2022-09-21 10:08浏览次数:
本文摘要:该文描写了二极管相反浪涌电流测试的基本拒绝和标准测试方法,针对标准测试方法不存在的严重不足,设计构建了使用信号掌控、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路解决方案,简练而又高效地构建了二极管相反浪涌电流的测试。 正弦半波脉冲电流的产生 二极管的规格多样,少见的额定通态电流从数百毫安到数百安培甚至更高,IFSM测试必须的峰值脉冲电流拒绝超过数十倍的额定通态电流值。

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该文描写了二极管相反浪涌电流测试的基本拒绝和标准测试方法,针对标准测试方法不存在的严重不足,设计构建了使用信号掌控、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路解决方案,简练而又高效地构建了二极管相反浪涌电流的测试。  正弦半波脉冲电流的产生  二极管的规格多样,少见的额定通态电流从数百毫安到数百安培甚至更高,IFSM测试必须的峰值脉冲电流拒绝超过数十倍的额定通态电流值。

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标准的测试方法是使用大容量工频变压器,撷取市电交流波形来产生时间常数为10ms、导通角为0~180的正弦半波脉冲,如图1。    图1相反浪涌电流测试电路  用这种方法产生几百上千安培的正弦脉冲电流,所用到的变压器体积重量都十分相当可观,加装与用于十分不便。一些国外公司的产品对浪涌冲击电流波形有特殊要求,比如拒绝在相反整流电流的基础上再行特一个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0~180的正弦半波脉冲电流,或者拒绝产生倒数两个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0~180的正弦半波脉冲电流等。

似乎再行使用市电撷取的方法,早已很难符合有所不同器件的测试拒绝了。  设计思路  大功率场效应管晶体管是一类标准的电压掌控电流器件,在VDMOS管的线性工作区内,漏极电流不受栅极电压掌控:IDS=GFS*VGS[2]。给栅极产生所必须的电压波形,在漏极就不会输入适当的电流波形。

因此,搭配大功率VDMOS管合适用作构建所需的浪涌电流波形,电路形式如图2右图。    图2VDMOS电流驱动电路  运放构成基本的偏移运算电路,驱动VDMOS管的栅极,漏源电流通过VDMOS管源近于采样电阻,添加运放偏移输出末端,与输出波形相乘构成对系统,运放输入电压掌控VDMOS管的栅极电压VGS,进而掌控漏极输入电流IDS[3]。这个IDS就是产生给待测二极管(DUT)的相反浪涌电流。

  单只VDMOS管的功率和电流缩放能力是受限的,无法超过上千安培的输入电流能力,使用多只并联的方式可以解决问题这个问题,以超过所必须的峰值电流。少见的相连方法如图3右图。    图3VDMOS并联方式  本测试方案使用了成熟期的电路控制技术,简练而有效地构建了各种浪涌冲击测试的拒绝。

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用于的都是常规简便的元器件,重新组建的装置体积小轻巧,可以很便利地加装在普通仪器箱中,沦为一件标准测试仪器。具备用于灵活性、不易操作者,测试精准度低,安全可靠等特点。


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